多层柔性平面内嵌迭片电极及其制备方法与在有机场单晶场效应晶体管中的应用

摘要

本发明公开了柔性平面内嵌迭片电极及其制备方法与在有机场单晶场效应晶体管中的应用。包括如下步骤：在衬底的表面连接十八烷基三氯硅烷；在经修饰之后的衬底上制备源电极、漏电极和栅电极；并在源电极、漏电极和栅电极的金属电极表面利用气相法连接巯丙基三甲氧基硅烷；在得到的源电极、漏电极和栅电极的金属电极表面分别旋涂聚二甲基硅氧烷；将旋涂有聚二甲基硅氧烷的栅电极从衬底上转移；将栅电极的金属电极表面、源电极和漏电极的聚二甲基硅氧烷表面分别进行氧等离子体处理，在表面形成羟基；剪裁源电极和漏电极；将栅电极、源电极和漏电极连接形成一整体即得。本发明由于半导体和电极和绝缘层之间是通过静电吸附的作用结合在一起，可以实现电极的重复利用，适用于各种尺寸的有机单晶。

主权项

一种柔性平面内嵌迭片电极的制备方法，包括如下步骤：(1)在衬底的表面连接十八烷基三氯硅烷，步骤如下：将清洗后的所述衬底静置于浓硫酸与过氧化氢体积比为7：3的混合溶液中；然后清洗所述衬底，再将所述衬底置于正庚烷与十八烷基三氯硅烷体积比为1000：1的混合溶液中，即在所述衬底表面连接上所述十八烷基三氯硅烷；(2)在经步骤(1)修饰之后的衬底上，利用光刻的方法分别制备源电极、漏电极和栅电极；并在所述源电极、所述漏电极和所述栅电极的金属电极表面利用气相法连接巯丙基三甲氧基硅烷；所述光刻的方法的条件如下：在所述衬底上旋涂光刻胶，经加热后置于365nm下的紫外灯下进行曝光，然后依次经显影和定影后，进行蒸镀金属；利用真空气相法在金属电极表面连接所述巯丙基三甲氧基硅烷；(3)在步骤(2)的得到的所述源电极、所述漏电极和所述栅电极的金属电极表面分别旋涂聚二甲基硅氧烷，并进行固化；所述栅电极上旋涂的所述聚二甲基硅氧烷的厚度为50～500μm；所述源电极和所述漏电极上旋涂的所述聚二甲基硅氧烷的厚度均为0.8～5μm；所述固化的温度为70℃～100℃，所述固化的时间为2～12小时；(4)将旋涂有聚二甲基硅氧烷的所述栅电极从所述衬底上进行转移；将所述栅电极的金属电极表面、所述源电极和所述漏电极的聚二甲基硅氧烷表面分别进行氧等离子体处理，即在表面形成羟基；所述氧等离子体处理的时间为10秒～60秒；(5)剪裁所述源电极和所述漏电极；将所述栅电极的金属电极表面、所述源电极和所述漏电极的聚二甲基硅氧烷表面进行对正，并放入烘箱中加热，则将所述栅电极、所述源电极和所述漏电极连接形成一整体，利用所述栅电极把所述整体从所述衬底上转移下来，即得到所述柔性平面内嵌迭片电极；所述加热的温度为70℃～100℃，所述加热的时间为10～30min。