半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的半导体装置具备含有p型杂质和n型杂质的n型SiC的杂质区。并且，当将p型杂质记为元素A、将n型杂质记为元素D时，元素A与元素D的组合为Al（铝）、Ga（镓）或In（铟）与N（氮）的组合以及B（硼）与P（磷）的组合中的至少一种组合，构成上述组合的上述元素A的浓度与上述元素D的浓度之比大于0.40且小于0.95，构成上述组合的上述元素D的浓度为1×10¹⁸cm^‑3以上且1×10²²cm^‑3以下。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备4H‑SiC的n型SiC区，所述n型SiC区含有p型杂质和n型杂质，当将所述p型杂质记为元素A、将所述n型杂质记为元素D时，所述元素A与所述元素D的组合为Al(铝)、Ga(镓)或In(铟)与N(氮)的组合以及B(硼)与P(磷)的组合中的至少一种组合，构成所述组合的所述元素A的浓度与所述元素D的浓度之比大于0.40且小于0.95，构成所述组合的所述元素D的浓度为1×10¹⁸cm^‑3以上且1×10²²cm^‑3以下。