半导体装置、制作该半导体装置的方法及使用的掩模

摘要

本发明公开了一种半导体装置、制作该半导体装置的方法及使用的掩模，该半导体装置包括至少一第二场区，包括一主晶粒阵列，每一晶粒具有一高度Y₁以及一宽度X₁，且该主晶粒阵列具有一高度Y₃；该半导体装置更可包括至少一第一场区，包括具有一高度Y₂及一宽度X₂的一监视区，以及具有一高度Y₂且包括一辅助晶粒阵列的一辅助晶粒区。各区的尺寸可互相成比例，使得X₂＝n₁×X₁+adjustment₁、Y₂＝n₃×Y₁+adjustment₃以及Y₃＝n₄×Y₂+adjustment₄，其中n₁、n₃、与n₄为整数。

主权项

一种半导体装置，包括：至少一第二场区，包括:一主晶粒(dies)阵列，每一晶粒具有一高度Y₁以及一宽度X₁，且该主晶粒阵列具有一高度Y₃，以及至少一第一场区，包括：一监视区，具有一高度Y₂及一宽度X₂，以及一辅助晶粒区，包括一辅助晶粒阵列；其中：X₂＝n₁×X₁+adjustment₁、Y₂＝n₃×Y₁+adjustment₃Y₃＝n₄×Q+adjustment₄；n₁、n₃与n₄为整数；以及Q为Y₂的一因子；以及而且其中这些高度包括于该半导体装置的一平面中一第一方向所制成的个别量度，以及这些宽度包括于该半导体装置的该平面中一第二方向所制成的个别量度，该第二方向是与该第一方向正交。