| 发明名称 | 包括结合使用双镶嵌型方案制造的微细间距背侧金属再分布线的穿硅过孔的3D互连结构 | ||
| 摘要 | 说明了一种3D互连结构和制造方法，其中，使用双镶嵌型工艺流程形成穿硅过孔(TSV)和金属再分布层(RDL)。可以在减薄的器件晶片背侧和RDL之间提供氮化硅或碳化硅钝化层，以在工艺流程过程中提供密封屏障和蚀刻停止层。 | ||
| 申请公布号 | CN103890940B | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201180074420.9 | 申请日期 | 2011.10.28 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | K·J·李;M·T·博尔;A·W·杨;C·M·佩尔托;H·科塔里;S·V·萨蒂拉朱;H-S·马 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;王英 |
| 主权项 | 一种3D互连结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有正表面和背表面；双镶嵌过孔和再分布层(RDL)；其中，所述过孔在所述正表面与所述背表面之间延伸穿过所述半导体衬底，并且所述再分布层形成于所述背表面之上且形成于沟槽开口中，所述沟槽开口位于所述背表面之上的电介质层中；以及绝缘衬垫层，所述绝缘衬垫层形成于所述双镶嵌过孔和所述沟槽开口的侧表面上，但没有形成于所述双镶嵌过孔和所述沟槽开口的底表面上。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||