| 发明名称 | 原位制造本征氧化锌层的方法及该方法制造的光伏器件 | ||
| 摘要 | 制造光伏器件的方法包括：在衬底上方形成用于光子吸收的吸收层，在吸收层之上形成缓冲层，其中，吸收层和缓冲层都是半导体，以及通过在含锌盐和碱性化学物质的溶液中的水热反应在缓冲层之上形成本征氧化锌层。本发明还提供了原位制造本征氧化锌层的方法及该方法制造的光伏器件。 | ||
| 申请公布号 | CN103779440B | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201310047532.6 | 申请日期 | 2013.02.06 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈世伟;徐伟伦;严文材;吴忠宪;李文钦 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/0749(2012.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种制造光伏器件的方法，包括：在衬底上方形成用于光子吸收的吸收层；在所述吸收层之上形成缓冲层，所述吸收层和所述缓冲层都是半导体，所述吸收层包括选自由CdTe、非晶硅、以及半导体所组成的组的材料，所述半导体包括铜、铟、镓和硒；以及通过溶液中的水热反应在所述缓冲层之上直接形成本征氧化锌层，所述溶液包括含锌盐和碱性化学物质，其中，在所述缓冲层的表面上竖直生长纳米管、纳米棒或纳米尖端。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||