| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：每个被配置成包括沟道对的存储块，每个所述沟道包括形成在所述存储块的管道栅中的管道沟道，以及与所述管道沟道相耦接的漏侧沟道和源侧沟道；第一缝隙，所述第一缝隙位于与其它的存储块相邻的存储块之间；以及第二缝隙，所述第二缝隙位于每个沟道对的源侧沟道和漏侧沟道之间。 | ||
| 申请公布号 | CN102867831B | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201210234992.5 | 申请日期 | 2012.07.09 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 李起洪;皮昇浩;张祯允 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 周晓雨;郭放 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：存储块，所述存储块每个都被配置成包括沟道，每个所述沟道包括形成在所述存储块的管道栅中的管道沟道，以及与所述管道沟道耦接的漏侧沟道和源侧沟道对；第一缝隙，所述第一缝隙位于与其它的存储块相邻的存储块之间；第二缝隙，所述第二缝隙位于每个沟道对的源侧沟道与漏侧沟道之间；以及至少一个第五缝隙，所述至少一个第五缝隙实质地位于每个所述存储块的减薄区域内，其中所述存储块包括所述沟道位于其中的单元区域，而减薄区域位于所述单元区域的两侧。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||