半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。根据实施方式，半导体装置包括：衬底；积层体，设置在所述衬底上；及积层膜，具有半导体膜及电荷储存膜。所述积层体具有：多个电极膜，隔着空隙而积层；第1绝缘膜，设置在所述多个电极膜中的最下层的电极膜与所述衬底之间，作为金属氧化膜、碳化硅膜、或碳氮化硅膜；及第2绝缘膜，设置在所述多个电极膜中的最上层的电极膜之上，作为金属氧化膜、碳化硅膜、或碳氮化硅膜。所述半导体膜在所述积层体内沿所述积层体的积层方向延伸，所述电荷储存膜设置在所述半导体膜与所述电极膜之间。

主权项

一种半导体装置，其特征在于包括：衬底；积层体，设置在所述衬底上，且具有：多个电极膜，隔着空隙而积层；第1绝缘膜，设置在所述多个电极膜中的最下层的电极膜与所述衬底之间，且为金属氧化膜、碳化硅膜、或碳氮化硅膜；及第2绝缘膜，设置在所述多个电极膜中的最上层的电极膜之上，且为金属氧化膜、碳化硅膜、或碳氮化硅膜；以及积层膜，具有：半导体膜，在所述积层体内沿所述积层体的积层方向延伸；及电荷储存膜，设置在所述半导体膜与所述电极膜之间。