发明名称 |
考虑光子晶体表面氧化膜分布的偏振特性数值计算方法 |
摘要 |
考虑光子晶体表面氧化膜分布的偏振特性数值计算方法,本发明涉及偏振特性数值计算方法。本发明为了解决现有的技术未考虑不同位置处膜厚的不均匀性及工作量大、速度慢的问题。具体是按照以下步骤进行的:步骤一、在已知光子晶体结构参数的情况下,通过FDTD数值模拟方法,求得光子晶体上方的空间电磁场分布;步骤二、计算辐射偏振特性,用光学椭偏参数表示;步骤三、计算穆勒矩阵元素,建立数据库;步骤四、利用仪器对光子晶体表面的光学椭偏参数进行测量,并计算穆勒矩阵元素,然后与数据库对比,得到对应的光子晶体表面氧化膜厚度及氧化膜分布不同位置。本发明应用于测量光子晶体表面氧化膜领域。 |
申请公布号 |
CN104502282B |
申请公布日期 |
2017.03.01 |
申请号 |
CN201510030651.X |
申请日期 |
2015.01.21 |
申请人 |
哈尔滨工业大学 |
发明人 |
裘俊;冉东方;金荣;赵军明;刘林华 |
分类号 |
G01N21/21(2006.01)I;G01J4/04(2006.01)I |
主分类号 |
G01N21/21(2006.01)I |
代理机构 |
哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 |
代理人 |
杨立超 |
主权项 |
考虑光子晶体表面氧化膜分布的偏振特性数值计算方法,其特征在于:考虑光子晶体表面氧化膜分布的偏振特性数值计算方法具体是按照以下步骤进行的:步骤一、在已知光子晶体结构参数的情况下,通过FDTD数值模拟方法,求得表面包覆不同氧化膜厚度及氧化膜分布不同位置的光子晶体上方的空间电磁场分布;其中,所述空间电磁场为电场<img file="FDA0001115669420000011.GIF" wi="43" he="55" />和磁场<img file="FDA0001115669420000012.GIF" wi="74" he="71" />光子晶体结构参数为周期Λ,光子晶体高度h,空隙率w;步骤二、从空间电磁场中提取出镜反射方向的电场分量计算辐射偏振特性,辐射偏振特性使用光学椭偏参数来表示;步骤三、计算光学椭偏参数的穆勒矩阵元素,建立数据库,得到相应光子晶体表面氧化膜厚度及氧化膜分布不同位置所对应的穆勒矩阵元素;步骤四、当光子晶体生产完成后,利用测量光子晶体表面辐射偏振特性的仪器对光子晶体表面的光学椭偏参数进行测量,并计算光学椭偏参数的穆勒矩阵元素,然后将穆勒矩阵元素与数据库的穆勒矩阵元素对比,得到相应穆勒矩阵元素对应的光子晶体表面氧化膜厚度及氧化膜分布不同位置。 |
地址 |
150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |