| 发明名称 | 半导体结构、MOSFET存储单元阵列及该阵列的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体结构、MOSFET存储单元阵列及该阵列的形成方法，该半导体结构具有：一MOSFET；及一衬底，其容置所述MOSFET。所述MOSFET在所述衬底中具有一栅极、一源极及一漏极。围绕所述MOSFET的一第一衬底区域以应力增强剂掺杂，其中所述应力增强剂经组态以在所述MOSFET的通道中产生一张应力，且所述张应力是沿着通道宽度方向。 | ||
| 申请公布号 | CN104103686B | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201310115335.3 | 申请日期 | 2013.04.03 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 吴冠纬;张耀文;杨怡箴;卢道政 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种半导体结构，其包含：一MOSFET，其在一衬底中包含一栅极、一源极及一漏极；及围绕所述MOSFET的一第一衬底区域以一应力增强剂掺杂，其中所述应力增强剂经组态以在所述MOSFET的通道中产生一张应力，且所述张应力是沿着通道宽度方向，该通道宽度方向系垂直于源极及漏极方向。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||