| 发明名称 | 采用高电压反注入的功率晶体管 | ||
| 摘要 | 采用高电压反注入的功率晶体管。本文提出场效应晶体管器件(可选的是横向功率晶体管)及其形成方法，所述方法包括：提供衬底；形成掺杂的隐埋层；在位于隐埋层上的衬底中形成主阱。可以在主阱中形成漂移漏极，在主阱中以及在漂移漏极和隐埋层之间对反注入区域进行注入。主阱可以包括第一注入区域和第二注入区域，其中第二注入区域的深度小于第一注入区域的深度。可以在第一注入区域和第二注入区域之间的深度处进行反注入。主阱和反注入区域可以包括具有相同导电类型的掺杂物，或都包括p+型掺杂物。可以在漂移漏极的一部分的上方形成栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN103579005B | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201210430036.4 | 申请日期 | 2012.10.31 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 萧世匡;朱振樑;陈奕升;陈斐筠;郑光茗 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种用于形成高电压功率晶体管器件的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成隐埋层；在位于所述隐埋层上方的衬底中形成具有第一导电类型的主阱；在所述主阱中形成具有第二导电类型的漂移漏极；以及在所述主阱中对具有所述第一导电类型的反注入区域进行注入，所述反注入区域介于所述漂移漏极和所述隐埋层之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||