| 发明名称 | 具有双晶界的互连结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种具有双晶界的半导体器件结构及其形成方法。半导体器件结构包括衬底和在衬底上方形成的导电结构。导电结构包括双晶界，并且双晶界的密度在约25μm<sup>‑1</sup>至约250μm<sup>‑1</sup>的范围中。 | ||
| 申请公布号 | CN106469677A | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201610674152.9 | 申请日期 | 2016.08.16 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林建宏;邱垂青;李永辉;廖建能;阙郁伦;詹宗晟;黄俊龙 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件结构，包括：衬底；以及导电结构，形成在所述衬底上方，其中，所述导电结构包括双晶界，以及所述双晶界的密度在约25μm<sup>‑1</sup>至约250μm<sup>‑1</sup>的范围中。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||