| 发明名称 | 一种外延结构及方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种外延结构及方法，包括：衬底；第一掩膜层，位于所述衬底的表面之上，所述第一掩膜层具有至少一个第一开口，以暴露所述衬底的表面；第二掩膜层，位于所述第一掩膜层之上，所述第二掩膜层具有位于第一开口之上且与第一开口的中心位置不重叠的一定宽度的第二开口；第三掩膜层，位于所述第二掩膜层之上，所述第三掩膜层具有位于第二开口之上且与第一开口的中心位置不重叠的一定宽度的第三开口，所述第三开口与所述第一开口之间的横向间距在一定范围内；外延层。本发明提供的外延结构能在晶格失配度超过4％的衬底上制备出高质量的外延层。 | ||
| 申请公布号 | CN106469648A | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201510548833.6 | 申请日期 | 2015.08.31 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 邓震;王桂磊;杨涛;李俊峰;刘洪刚;赵超 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 党丽;江怀勤 |
| 主权项 | 一种外延结构，其特征在于，包括：衬底；第一掩膜层，位于所述衬底的表面之上，所述第一掩膜层具有至少一个第一开口，以暴露所述衬底的表面；第二掩膜层，位于所述第一掩膜层之上，第一开口宽度≤所述第二掩膜层厚度≤第一开口宽度的3倍，所述第二掩膜层具有位于第一开口之上且与第一开口的中心位置不重叠的第二开口，第二开口宽度大于第一开口宽度；第三掩膜层，位于所述第二掩膜层之上，所述第三掩膜层具有位于第二开口之上且与第一开口的中心位置不重叠的第三开口，所述第三开口与所述第一开口之间的横向间距≤2倍第一开口宽度或2倍第三开口宽度，所述第三开口宽度小于所述第二开口宽度；外延层，包括第一开口、第二开口和第三开口中的外延层部分以及第三掩膜层之上的外延层部分。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||