| 摘要 |
실리콘 광 증배 소자에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 광 증배 소자(Silicon Photomultiplier)는 P 타입의 기판; 및 기판 상에 형성된 복수의 PN 접합이 형성된 마이크로 픽셀 및 P 타입의 물질이 형성된 트랜치를 포함하는 액티브(Active) 영역을 포함한다. 이때, 트랜치에 포함된 P 타입 물질의 이온 농도는 기판에 형성된 P 타입 물질의 이온 농도 보다 높은 것이고, 트랜치는 상기 복수의 마이크로 픽셀 사이에 배치되어 각각의 마이크로 픽셀을 분리하도록 형성된다. |
