发明名称 SILICON NITRIDE POWDER SILICON NITRIDE SINTERED BODY AND CIRCUIT SUBSTRATE AND PRODUCTION METHOD FOR SAID SILICON NITRIDE POWDER
摘要 본 발명은, 높은 열전도율을 가지면서도, 높은 기계적 강도도 더불어 갖는 질화규소 소결체 및 회로 기판, 그 원료가 되는 질화규소 분말 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다. 본 발명에서는 비표면적이 4.0∼9.0 m/g이고, β상의 비율이 40%보다 작고, 산소 함유량이 0.20∼0.95 질량%이고, 레이저 회절 산란법에 의한 체적 기준의 입도 분포 측정에 의해 얻어지는 빈도 분포 곡선이 2개의 피크를 갖고, 상기 피크의 피크톱이 0.4∼0.7 ㎛의 범위와 1.5∼3.0 ㎛의 범위에 있고, 상기 피크톱의 빈도의 비(입자 직경 0.4∼0.7 ㎛ 범위의 피크톱의 빈도/입자 직경 1.5∼3.0 ㎛ 범위의 피크톱의 빈도)가 0.5∼1.5이고, 상기 입도 분포 측정에 의해 얻어지는 메디안 직경 D50(㎛)과, 상기 비표면적으로부터 산출되는 비표면적 상당 직경 D(㎛)의 비 D50/D(㎛/㎛)가 3.5 이상인 질화규소 분말, 이 질화규소 분말로부터 얻어지는 질화규소 소결체 및 회로 기판, 및 그 질화규소 분말의 제조 방법을 제공한다.
申请公布号 KR20170021282(A) 申请公布日期 2017.02.27
申请号 KR20177000733 申请日期 2015.06.16
申请人 우베 고산 가부시키가이샤 发明人 야마오 다케시;혼다 미치오;지다 신스케
分类号 C01B21/068;C04B35/584;C04B35/63;C04B35/64;H05K1/03 主分类号 C01B21/068
代理机构 代理人
主权项
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