发明名称 Fuse circuit fuse array and semiconductor memory device including the same
摘要 퓨즈 회로는 프로그램부, 센싱부 및 제어부를 포함한다. 프로그램부는 프로그램 신호에 응답하여 프로그램되고, 센싱 인에이블 신호에 응답하여 프로그램 출력 신호를 출력한다. 센싱부는 제어 신호에 기초하여 저항 값이 가변되는 가변 저항부를 포함하고, 가변 저항부의 저항 값 및 프로그램 출력 신호에 기초하여 센싱 출력 신호를 생성한다. 제어부는 동작 모드에 따라서 상기 제어 신호를 변경하고, 상기 센싱 출력 신호에 기초하여 프로그램부를 리프로그램시킨다.
申请公布号 KR101710056(B1) 申请公布日期 2017.02.27
申请号 KR20100077102 申请日期 2010.08.11
申请人 삼성전자주식회사 发明人 김진호;손종필;장성진;문병식;오승훈;박주섭
分类号 G11C29/04;G11C11/56;G11C16/10;G11C16/34;G11C17/16;G11C29/02 主分类号 G11C29/04
代理机构 代理人
主权项
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