Phase Shift Blankmask and Photomask

摘要

본 발명은 투명 기판 상에 위상반전막이 구비되며, 상기 위상반전막은 불소(F)을 포함하는 실리콘(Si) 화합물로 이루어진 위상반전 블랭크 마스크를 제공한다. 본 발명에 따른 위상반전 블랭크 마스크는 10% 이상의 투과율 가짐에 따라 32㎚급 이하, 특히, 14㎚급 이하, 바람직하게, 10㎚급 이하의 미세 패턴 구현이 가능하다.