发明名称 METHODS OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES
摘要 반도체 장치의 패턴 형성 방법에 있어서, 기판 상에 대상막을 형성한다. 대상막 상에 복수의 가이딩 필라들 및 적어도 하나의 가이딩 댐을 형성한다. 가이딩 필라들 및 가이딩 댐 사이의 공간에 블록 공중합체를 포함하는 자기 정렬막을 형성하여 가이딩 필라들 주변에 정렬되는 제1 블록들 및 가이딩 댐 주변에 정렬되는 제2 블록들을 형성한다. 가이딩 댐을 적어도 부분적으로 커버하는 트림 패턴을 형성한다. 제1 블록들을 대상막에 전사한다.
申请公布号 KR20170021010(A) 申请公布日期 2017.02.27
申请号 KR20150115253 申请日期 2015.08.17
申请人 삼성전자주식회사 发明人 박석한
分类号 H01L21/027;H01L21/762 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
主权项
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