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본 발명은 전기적 특성의 변동을 억제할 수 있고 산화물 반도체를 포함하는 반도체 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 산화물 반도체막을 포함하는 반도체 장치는 제 1 절연막, 제 1 절연막 위의 산화물 반도체막, 산화물 반도체막 위의 제 2 절연막, 및 제 2 절연막 위의 제 3 절연막을 포함한다. 제 2 절연막은 산소 및 실리콘을 포함하고, 제 3 절연막은 질소 및 실리콘을 포함하고, 인듐이 제 2 절연막과 제 3 절연막 사이의 계면 근방에 포함된다. |
