发明名称 STRIPPER COMPOSITION FOR REMOVING PHOTORESIST AND STRIPPING METHOD OF PHOTORESIST USING THE SAME
摘要 본 발명은, 1종 이상의 아민 화합물; 비양자성 극성 유기 용매 및 물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 용매; 양자성 극성 유기 용매; 및 20℃에서 25 mPa·s 내지 250 mPa·s의 동역학점도(dynamic viscosity)를 가지며, 폴리에테르계 작용기가 도입된 폴리디메틸실록산 반복 단위를 20몰% 내지 70몰% 포함한 폴리에테르 변성 폴리디메틸실록산;을 포함하는, 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법에 관한 것이다.
申请公布号 KR101710171(B1) 申请公布日期 2017.02.24
申请号 KR20140123649 申请日期 2014.09.17
申请人 주식회사 엘지화학 发明人 박태문;정대철;이동훈;이우람;이현준;김주영
分类号 G03F7/42;C11D1/72;C11D11/00 主分类号 G03F7/42
代理机构 代理人
主权项
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