| 摘要 |
캐소드 측면 (13) 상의 제 1 도전형의 드리프트 층 (2) 과 애노드 측면 (14) 상의 제 2 도전형의 애노드 층 (3) 을 갖는 바이폴라 다이오드 (1) 가 제공된다. 애노드 층 (3) 은 확산된 애노드 콘택층 (5) 및 이중 확산된 애노드 버퍼층 (4) 을 포함한다. 애노드 콘택층 (5) 은 최대 5㎛의 깊이까지 배열되고, 애노드 버퍼층 (4) 은 18 내지 25㎛의 깊이까지 배열된다. 애노드 버퍼층 (4) 은 5㎛의 깊이에서 8.0*10내지 2.0 * 10cm의 도핑 농도를 갖고 15㎛의 깊이에서 1.0*10내지 5.0 * 10cm의 도핑 농도를 가짐으로써 (스플릿 C 및 D), 디바이스의 우수한 소프트성 및 낮은 누설 전류를 유발한다. 스플릿 A 및 B는 종래 기술의 다이오드들의 애노드 층 도핑 농도들을 나타내는데, 이들은 또한 모든 깊이들에 걸쳐 더 낮은 도핑 농도를 가짐으로써, 열악한 소프트성을 유발하는 높은 누설 전류 또는 강화된 도핑 농도를 야기한다. |
