| 发明名称 |
THRESHOLD VOLTAGE EXPANSION |
| 摘要 |
메모리 셀의 임계 전압 윈도를 확장시키는 것과 연관된 시스템들, 방법들 및 장치들을 포함하는 실시예들이 여기에 설명된다. 특히, 일부 실시예에서, 메모리 셀들은 세트 상태 또는 리셋 상태로 설정됨으로써 데이터를 저장하도록 구성될 수 있다. 일부 실시예에서, 더미-판독 프로세스는 판독 프로세스 전에 세트 상태에서의 메모리 셀들에 대해 수행될 수 있다. 일부 실시예에서, 수정된 리셋 알고리즘은 리셋 상태에 있는 메모리 셀에 대해 수행될 수 있다. 다른 실시예들이 설명되거나 청구될 수 있다. |
| 申请公布号 |
KR20170020896(A) |
申请公布日期 |
2017.02.24 |
| 申请号 |
KR20177001732 |
申请日期 |
2015.06.04 |
| 申请人 |
인텔 코포레이션 |
发明人 |
판데이, 아비나브;벨갈, 한만트 피.;담레, 프라샨트 에스.;크리파니디, 아르준;유리브, 세바스티안 티.;리-가그논, 다니-세바스티엔;란간, 산제이;판갈, 키란 |
| 分类号 |
G11C13/00;G06F11/10;G11C7/04;G11C7/12;G11C11/56;G11C14/00;G11C29/02;G11C29/50 |
主分类号 |
G11C13/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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