| 摘要 |
【課題】半導体装置の性能を向上させる。【解決手段】半導体装置において、互いに隣り合うコントロールゲート電極１５およびメモリゲート電極２６と、コントロールゲート電極１５下に形成されたゲート絶縁膜１３と、メモリゲート電極２６下に形成され、内部に電荷蓄積部を有する絶縁膜２７と、によりメモリセルＭＣが形成される。また、当該半導体装置において、下部電極１６と、上部電極２３と、上部電極２３と下部電極１６との間に形成された容量絶縁膜２７ａと、により容量素子ＣＤ１が形成される。下部電極１６の厚さＴＨ２は、コントロールゲート電極１５の厚さＴＨ１よりも薄い。【選択図】図３ |
