| 摘要 |
本開示の窒化物半導体装置は、基板の上方に配置された第１の窒化物半導体層と、第1の窒化物半導体層の上方に配置された第２の窒化物半導体層と、第２の窒化物半導体層の上方に配置された第１の電極、第２の電極、ｐｎ発光体と、を備える。第２の窒化物半導体層のバンドギャップが第１の窒化物半導体層のバンドギャップよりも大きく、ｐｎ発光体は、ｐ型窒化物半導体層とｎ型窒化物半導体層とを有し、ｐｎ発光体が発する発光エネルギー値が、第１の窒化物半導体層に存在する電子捕獲順位より大きく、且つ第２の窒化物半導体層に存在する電子捕獲順位より大きい。 |
