| 摘要 |
ＴＦＴ装置において、チャネル層は、酸化物半導体材料からなり、ゲート電極とソース電極およびドレイン電極との間に挿設されるとともに、ソース電極およびドレイン電極の各一部が接している。チャネル保護層は、ソース電極およびドレイン電極の各一部がチャネル層に接する部分を除き、チャネル層とソース電極およびドレイン電極との間に挿設されている。パッシベーション層は、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、チャネル層、およびチャネル保護層の上方を覆っている。チャネル保護層およびパッシベーション層の少なくとも一方は、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンからなり、Ｓｉ−Ｈ濃度が２．３Ｅ２１ｃｍ-3以下である第１構成層を含む。 |
