| 摘要 |
半導体装置の製造方法は、第１導電型の半導体基板（１）の表面から深さ方向にトレンチ（２）を形成する工程と、トレンチ内に第１絶縁膜（３ａ）を介して導電層（４）を形成する工程と、トレンチの内部において導電層を分割して互いに対向するゲート電極（４ａ）とトレンチ内配線層（４ｂ）に分割し、ゲート電極とトレンチ内配線層との間隙を第２絶縁膜（３ｅ）で充填する工程と、半導体基板の表面の全面に第２導電型の不純物を導入して第２導電型のチャネル形成領域（７）を形成する工程と、チャネル形成領域の一部となるトレンチの表面開口部に沿って接する領域に第１導電型の主電極領域（８）を選択的に形成する工程とを含む。 |
