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经营范围
发明名称
半導体装置およびその製造方法
摘要
本発明は,2次元アレイ上に配列された複数のセルを有する半導体装置に適用される。本発明において,各セル(10)は,1つ以上のトランジスタ(101,111),1つ以上の抵抗変化素子(100),および1つの加熱装置(250)を備え,抵抗変化素子は,その抵抗値が電圧印加または電流印加により電気的に設定可能であり,各セル内で加熱装置がトランジスタの1つ(111)に接続され,各セル内で加熱装置と抵抗変化素子とは電気的に接続されていない。
申请公布号
JPWO2014181492(A1)
申请公布日期
2017.02.23
申请号
JP20150515771
申请日期
2013.12.24
申请人
日本電気株式会社
发明人
阪本 利司;多田 宗弘
分类号
H01L27/105;H01L27/10;H01L45/00;H01L49/00
主分类号
H01L27/105
代理机构
代理人
主权项
地址
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