窒化物半導体発光素子

摘要

第１のｎ型窒化物半導体層と、第２のｎ型窒化物半導体層と、ｎ型電子注入層と、発光層と、をこの順に備え、第２のｎ型窒化物半導体層の平均ｎ型ドーパント濃度は、第１のｎ型窒化物半導体層の平均ｎ型ドーパント濃度の０．５３倍以下であり、ｎ型電子注入層の平均ｎ型ドーパント濃度は、第２のｎ型窒化物半導体層の平均ｎ型ドーパント濃度の１．５倍以上である窒化物半導体発光素子である。