发明名称 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
摘要 【課題】ウェハに均一性の高い膜を形成することが可能な半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】一の実施形態によれば、半導体製造装置は、第1軸の周りに設けられた第1部分と、前記第1軸と異なる第2軸の周りに設けられた第2部分と、前記第1部分と前記第2部分とを接続する第3部分と、前記第1部分と前記第2部分とを接続し、前記第3部分の下方に位置する第4部分とを含むベルト支持部を備える。前記装置はさらに、前記ベルト支持部上に設けられ、前記第1軸の周りを第1方向に回転し、前記第2軸の周りを前記第1方向とは逆の第2方向に回転するベルトを備える。前記装置はさらに、前記ベルト上に設けられ、ウェハを支持するウェハ支持部を備える。前記装置はさらに、前記ベルトの上方に設けられ、前記ウェハに形成される膜の原料を供給する複数の原料供給ヘッドを備える。【選択図】図1
申请公布号 JP2017041545(A) 申请公布日期 2017.02.23
申请号 JP20150162663 申请日期 2015.08.20
申请人 株式会社東芝 发明人 福本 敦之;相宗 史記;春藤 健志;永野 元
分类号 H01L21/31;C23C16/44;C23C16/455;H01L21/677 主分类号 H01L21/31
代理机构 代理人
主权项
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