| 摘要 |
【課題】逆阻止型ＩＧＢＴを提供する。【解決手段】表面側にＭＯＳゲート構造が形成された第１導電型のベース層と、ベース層の裏面側に形成され、第１ドーパントと第１ドーパントと異なる第２ドーパントとが注入された第２導電型のコレクタ層と、コレクタ層の裏面側に形成されたコレクタ電極とを備え、第２ドーパントの不純物濃度ピークは、第１ドーパントの不純物濃度ピークよりも、コレクタ層の裏面からの位置が深く、且つ、第２ドーパントの不純物濃度ピークの大きさが、第１ドーパントの不純物濃度ピークの大きさの１／１００より大きい半導体装置を提供する。【選択図】図１ |
