| 摘要 |
周波数温度係数ＴＣＦの絶対値をより一層小さくし得る振動装置を提供する。基部２に、Ｙ方向に延びる複数本の音叉腕３〜５がＸ方向に並列されており、音叉腕３〜５が、縮退半導体であるＳｉ層１１上に酸化ケイ素層１２が積層されており、酸化ケイ素層１２上に励振部１３が設けられている構造を有し、Ｓｉ層１１の厚みの総和をＴ１、酸化ケイ素層１２の厚みの総和をＴ２とし、Ｓｉ層１１に酸化ケイ素層１２が設けられていない場合の周波数温度係数ＴＣＦをｘとしたとき、厚み比Ｔ２／（Ｔ１＋Ｔ２）が、（−０．０００２ｘ２−０．０１３６ｘ＋０．００１４）±０．０５の範囲内とされている、振動装置１。 |
