Ｓｉ基板上に成長した閃亜鉛鉱型（立方晶とも言う。）ＡｌｙＩｎｘＧａ１−ｙ−ｘＮ結晶（ｙ≧０、ｘ＞０）からなる母結晶にナノドット（「量子ドット」とも言う。）を有する活性領域及びこれを用いた発光デバイス（ＬＥＤ及びＬＤ）

摘要

【課題】高輝度ＬＥＤ、高輝度ＬＤの構造を提供すること。【解決手段】本発明において、Ｓｉ基板上に形成された閃亜鉛鉱型のＢＰ結晶層上に閃亜鉛鉱型の結晶構造を維持する母結晶であるＡｌｙＩｎｘＧａｚＮ結晶（ｙ≧０、ｘ＞０）と母結晶であるＡｌｙＩｎｘＧａｚＮ結晶（ｙ≧０、ｘ＞０）結晶よりもＩｎの濃度が高いＩｎドットを有することを特徴とする発光デバイスを提供する。【選択図】図１