Gehäusestrukturen und Verfahren ihrer Herstellung

摘要

Eine Ausführungsform besteht aus einem Verfahren, das das Ausbilden eines ersten Gehäuses umfasst. Das Ausbilden des ersten Gehäuses umfasst das Ausbilden einer Silizium-Durchkontaktierung angrenzend an einen ersten Die, zumindest seitliches Kapseln des ersten Dies und der Silizium-Durchkontaktierung mit einem Kapselungsmittel und Ausbilden einer ersten Umverteilungsstruktur über dem ersten Die, der Silizium-Durchkontaktierung und dem Kapselungsmittel. Das Ausbilden der ersten Umverteilungsstruktur umfasst das Ausbilden einer ersten Durchkontaktierung auf der Silizium-Durchkontaktierung und das Ausbilden einer ersten Metallisierungsstruktur auf der ersten Durchkontaktierung und mindestens einer Seitenwand der ersten Metallisierungsstruktur direkt über der Silizium-Durchkontaktierung.