发明名称 薄膜トランジスタ、半導体装置および電子機器
摘要 【課題】寄生容量を低減することが可能な薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】薄膜トランジスタは、チャネル領域と、チャネル領域よりも電気抵抗の低い低抵抗領域とを含む酸化物半導体層と、酸化物半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に、酸化物半導体層のチャネル領域に対向して配置されたゲート電極と、酸化物半導体層の低抵抗領域と電気的に接続されたソース・ドレイン電極とを備える。ゲート電極は、ゲート絶縁膜の側から順に、第1の電極層と、第2の電極層とを有し、第1の電極層のチャネル長方向に沿った第1の幅は、第2の電極層のチャネル長方向に沿った第2の幅よりも大きいものである。【選択図】図1
申请公布号 JP2017041596(A) 申请公布日期 2017.02.23
申请号 JP20150163783 申请日期 2015.08.21
申请人 株式会社JOLED 发明人 槇田 篤哉;村井 淳人
分类号 H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/41;H01L29/423;H01L29/49 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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