Vertikal integriertes elektronisches Bauelement, Finnen-Bipolartransistor und Verfahren zu deren Herstellung

摘要

Vertikal integriertes elektronisches Bauelement (400), welches als Bipolartransistor ausgebildet ist und aufweist: • einen Body-Bereich (102), welcher einen ersten Teilbereich (402a) und einen zweiten Teilbereich (402b) aufweist; • einen ersten Emitter/Kollektor-Anschlussbereich (403), einen zweiten Emitter/Kollektor-Anschlussbereich (404) und einen Basis-Anschlussbereich (405), • wobei der Basis-Anschlussbereich (405) auf dem ersten Teilbereich (402a) des Body-Bereichs (102) angeordnet ist und der erste Emitter/Kollektor-Anschlussbereich (403) auf dem zweiten Teilbereich (402b) des Body-Bereichs (102) angeordnet ist; • wobei der zweite Emitter/Kollektor-Anschlussbereich (404) über zumindest einem Teilgebiet des Basis-Anschlussbereichs (405) angeordnet ist; und • wobei mindestens zwei der Anschlussbereiche (403, 404, 405) als epitaktisch gewachsene Bereiche gebildet sind.