| 摘要 |
本発明による絶縁ゲート型半導体素子の制御装置は、第１絶縁ゲートと第２絶縁ゲートを備える絶縁ゲート型半導体素子を、第１絶縁ゲートおよび第２絶縁ゲートにそれぞれ与えられる第１制御電圧および第２制御電圧によって駆動するものであり、絶縁ゲート型半導体素子に流れる電流に関する信号を入力する第１ノイズフィルタと、第１ノイズフィルタの出力信号と第１基準信号を比較し、第１比較結果を出力する第１比較器と、第１比較結果により、絶縁ゲート型半導体素子に過電流が流れていると判定されたら、第２制御電圧を低下させる第２制御電圧出力回路と、第２制御電圧が低下した後、第１制御電圧を低下させる第１制御電圧出力回路とを備える。 |
