| 摘要 |
半導体装置は、ＩｎｐＡｌｑＧａ１−ｐ−ｑＮ（０≦ｐ＋ｑ≦１、０≦ｐ、０≦ｑ）からなるチャネル層と、チャネル層上に形成され、チャネル層よりバンドギャップの大きなＩｎｒＡｌｓＧａ１−ｒ−ｓＮ（０≦ｒ＋ｓ≦１、０≦ｒ）からなるバリア層と、バリア層の上に選択的に形成され、ＩｎｔＡｌｕＧａ１−ｔ−ｕＮ（０≦ｔ＋ｕ≦１、０≦ｔ、ｓ＞ｕ）からなる拡散抑制層と、拡散抑制層の上に形成され、ｐ型の導電性を有するＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ＋ｙ≦１、０≦ｘ、０≦ｙ）からなるｐ型導電層と、ｐ型導電層の上に形成されたゲート電極とを備える。 |
