Halbleitervorrichtung, die einen vertikalen PN-Übergang zwischen einem Bodybereich und einem Driftbereich enthält

摘要

Eine Halbleitervorrichtung enthält einen Driftbereich (121), der sich von einer ersten Oberfläche (101) in einen Halbleiterteil (100) erstreckt. Ein Bodybereich (115) zwischen zwei Teilen (121a, 121b) des Driftbereichs (121) bildet einen ersten pn-Übergang (pn1) mit dem Driftbereich (121). Ein Sourcebereich (110) bildet einen zweiten pn-Übergang (pn2) mit dem Bodybereich (115). Die pn-Übergänge (pn1, pn2) enthalten Sektionen senkrecht zur ersten Oberfläche (101). Gatestrukturen (150) erstrecken sich in die Bodybereiche (115) und enthalten eine Gateelektrode (155). Feldplattenstrukturen (160) erstrecken in den Driftbereich (121) und enthalten eine von der Gateelektrode (155) getrennte Feldelektrode (165). Eine Gate abschirmende Struktur (400) ist angepasst, um eine kapazitive Kopplung zwischen den Gatestrukturen (150) und einer Gegenelektrode (320) zu reduzieren, die direkt an eine zweite Oberfläche (102) angrenzt.