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Eine Halbleitervorrichtung weist Folgendes auf: ein Halbleiterelement (5) das Folgendes aufweist: ein Halbleitersubstrat (1), eine Isolierschicht (2), die auf einer Vorderfläche (1A) des Halbleitersubstrats (1) ausgebildet ist und eine Öffnung hat, und eine Elektrode (3), die in der Öffnung auf der Vorderfläche (1A) des Halbleitersubstrats (1) gebildet ist; und eine erste Schutzschicht (9), die so angeordnet ist, dass sie das Halbleiterelement (5) bedeckt. Die Isolierschicht (2) hat eine Dicke (W1) von nicht weniger als 1/500 der Dicke (W2) des Halbleitersubstrats (1) und nicht mehr als 4 µm. Die Isolierschicht hat eine Druckbeanspruchung pro Schichtdicke von nicht weniger als 100 MPa/µm. |
