| 摘要 |
少なくとも２層以上の半導体層（１０３）（１０５）と、発光層（１０４）とを積層して構成される積層半導体層（１１０）を有し、第一の光を発光する半導体発光素子（１００）と、少なくとも半導体発光素子（１００）の一部を覆い、第一の光の少なくとも一部を吸収し、第一の光の波長とは異なる第二の光を発光する波長変換部材とで構成されており、半導体発光素子（１００）は、半導体発光素子（１００）を構成するいずれかの主面において、面外方向に延在する複数の凸部又は凹部から構成されるドットを含む微細構造層を構成要素として備え、微細構造層は、少なくともドット間のピッチ、ドット径又はドット高さのいずれかにより制御された二次元フォトニック結晶（１０２）を構成し、二次元フォトニック結晶（１０２）は少なくとも、各々１μｍ以上の２つ以上の周期を有することを特徴とする半導体発光装置。 |
