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发明名称
半導体装置
摘要
SiC等のワイドバンドギャップ半導体素子を有する半導体装置において、当該半導体素子の保護や制御のための要求特性に十分に応えるセンサを備える半導体装置を提供する。半導体装置1は、基板2上に搭載されたワイドバンドギャップ半導体素子3と、該ワイドバンドギャップ半導体素子3が通電されたときの発光を受光する受光素子7とを備える。
申请公布号
JPWO2014196285(A1)
申请公布日期
2017.02.23
申请号
JP20150521341
申请日期
2014.04.25
申请人
富士電機株式会社
发明人
仲野 逸人
分类号
H01L25/07;H01L25/18;H01L27/04;H01L29/12;H01L29/78
主分类号
H01L25/07
代理机构
代理人
主权项
地址
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