| 摘要 |
本発明は、フォトレジスト組成物を用い、無機基板の表面にレジスト膜を形成する工程、上記レジスト膜を露光する工程、上記露光されたレジスト膜の有機溶媒を含有する現像液を用いた現像により、ネガ型のレジストパターンを形成する工程、及び上記レジストパターンをマスクとし、上記無機基板にイオン注入する工程を有し、上記フォトレジスト組成物が、酸解離性基を有する重合体、及び酸発生体を含有する半導体素子の製造方法である。上記フォトレジスト組成物は、カルボキシ基、スルホ基、下記式（ｉ）で表される基（ａ）、酸の作用によりカルボキシ基、スルホ基又は上記基（ａ）を生じうる基、及びラクトン性カルボニルオキシ基からなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、かつ分子量が１，０００以下の化合物をさらに含有し、この化合物の含有量が上記重合体１００質量部に対して０．１質量部以上３０質量部以下であることが好ましい。 |
