半導体装置

摘要

本開示の半導体装置は、第１の窒化物半導体層が第２の窒化物半導体層との界面近傍に２次元電子ガスチャネルを有する。平面視において、第１の電極と第２の電極との間に電極部が間隔をおいて配置され、第２の電極と電極部との間隔が第１の電極と電極部との間隔よりも短い。電極部と第２の窒化物半導体層との接合面において、電極部から第２の窒化物半導体層へ順方向の整流作用を示すエネルギー障壁を有し、第２の窒化物半導体層のバンドギャップが第１の窒化物半導体層のバンドギャップよりも大きい。電極部は第２の電極と実質的に同電位であり、第１の電極と第２の電極との間に、第１の電極が正となる最大動作電圧が印加されている場合に、電極部下方の２次元電子ガスチャネルが導通状態となっている。