发明名称 半導体装置
摘要 【課題】導電性基板の反りを抑制しつつ、半導体素子の発熱を低減可能な半導体装置を提供すること。【解決手段】導電性基板1の表面の主面11に接合された第1絶縁基板2、および、導電性基板1の主面とは反対側に位置する反対主面12に接合された第2絶縁基板3と、第1絶縁基板2に周囲を囲まれ、導電性基板1の主面11に接合された半導体素子4と、を備えることを特徴とする半導体層とした。半導体素子4は、導電性基板1の主面11に直接実装しているため、第1絶縁基板2上に実装した場合と比較して、半導体素子4の抜熱効果を確保して、半導体素子4の発熱を低減することができる。【選択図】図1
申请公布号 JP2017041565(A) 申请公布日期 2017.02.23
申请号 JP20150163086 申请日期 2015.08.20
申请人 日産自動車株式会社 发明人 沼倉 啓一郎;林 哲也;早見 泰明;吉野 雄介;斎藤 雄二
分类号 H01L23/12;H01L23/36 主分类号 H01L23/12
代理机构 代理人
主权项
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