| 摘要 |
본 발명의 사상은 입사되는 적외선을 충분히 흡수하면서도 얇은 에피택셜막 내에 형성될 수 있는 적외선 수광부를 포함함으로써, 기존 CIS 공정을 이용하여 용이하게 제조할 수 있는 3D 씨모스 이미지 센서(CIS), 그 센서를 포함한 센서 시스템, 및 그 센서 제조 방법을 제공한다. 그 3D 씨모스 이미지 센서는 입사되는 적외선(Infrared Ray: IR)이 반복 반사를 통해 흡수되어, 전자-정공 쌍(Electron-Hole Pair: EHP)이 생성되는 적외선 수광부; 및 상기 적외선 수광부 상부에 형성되고, 소정 전압이 인가되어 생성된 전자를 수집하는 전극부;를 포함한다. |
