| 摘要 |
Eine Halbleitervorrichtung, die einen Mesa-Abschnitt, der auf einer Vorderseite eines Halbleitersubstrats gebildet ist; einen schwebenden Abschnitt, der auf der Vorderseite des Halbleitersubstrats gebildet ist; einen Graben, der so gebildet ist, dass er den schwebenden Abschnitt umgibt, und der den Mesa-Abschnitt von dem schwebenden Abschnitt trennt; eine Elektrode, die innerhalb des Grabens gebildet ist; und einen äußeren Verdrahtungsabschnitt, der entlang einer Anordnungsrichtung des Mesa-Abschnitts und des schwebenden Abschnitts gebildet ist, außerhalb des Bereichs, der von dem Graben umgeben ist, enthält. Ein Rand des äußeren Verdrahtungsabschnitts auf der Seite des Mesa-Abschnitts und schwebenden Abschnitts enthält einen hervorstehenden Abschnitt, der in wenigstens einem Teil eines Bereichs gegenüber dem schwebenden Abschnitt gebildet ist und über den Graben hinaus zu der Seite des schwebenden Abschnitts hervorsteht, und einen ausgesparten Abschnitt, der in wenigstens einem Teil eines Bereichs gegenüber dem Mesa-Abschnitt gebildet ist und zu der Seite des äußeren Verdrahtungsabschnitts weiter als der hervorstehende Abschnitt ausgespart ist. |
