发明名称 放熱構造を有する半導体装置および半導体装置の積層体
摘要 半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の第一の面に配置された電極と、半導体基板の第一の面と反対側の第二の面に形成された回路と、回路と電極とを接続する導電体と、半導体基板の外周に配置された第1のリードと、電極と第1のリードとを接続する接続部材と、半導体基板と第1のリードと接続部材とを封止する封止材とを備え、半導体基板の第二の面が封止材から露出している。
申请公布号 JPWO2014188632(A1) 申请公布日期 2017.02.23
申请号 JP20150518045 申请日期 2014.02.03
申请人 パナソニック株式会社 发明人 越智 岳雄
分类号 H01L23/28;H01L23/36;H01L23/48;H01L23/50;H01L25/10;H01L25/11;H01L25/18 主分类号 H01L23/28
代理机构 代理人
主权项
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