| 摘要 |
上部に凸状の段差部（１２）を有する金属ブロック（１）の上面以外の各面と、該上面の素子実装領域を除く部分にセラミックス材料からなる絶縁層（２）が直接形成された絶縁層付金属ブロック（３）の素子実装領域にパワー半導体素子（４）を接合し、この絶縁層付金属ブロック（３）を金属板（５）の庇付貫通孔（１７）内に嵌合して固定することにより、低コストで放熱性に優れたパワー半導体モジュール（１００）を製作できる。また、このパワー半導体モジュール（１００）と、ヒートシンク（１１）とを備え、金属ブロック（１）の下面が絶縁層（２）を介してヒートシンク（１１）に当接するようにしてパワー半導体モジュール（１００）をヒートシンク（１１）に固定することにより、低コストで小型の電力変換器（３００）を製作できる。 |
