| 摘要 |
半導体基板１０と、基板上に直列に設けられた第１、第２活性層１５、２５とを備えて、量子カスケードレーザ１Ａを構成する。第１活性層１５の単位積層体１６は、そのサブバンド準位構造において、発光上準位と、発光下準位とを有し、第１周波数ω１の光を生成可能に構成され、第２活性層２５の単位積層体２６は、そのサブバンド準位構造において、第１発光上準位と、第２発光上準位と、複数の発光下準位とを有し、第２周波数ω２の光を生成可能に構成され、第１周波数ω１の光、及び第２周波数ω２の光による差周波発生によって、差周波数ωの光を生成する。これにより、テラヘルツ光などの長波長の光を好適に生成することが可能な量子カスケードレーザが実現される。 |
