| 摘要 |
炭化珪素基板（１０）上に無機絶縁膜からなるイオン注入用マスク（２０）を形成し、イオン注入用マスク（２０）に、マスク部（２２）と、開口されたイオン注入部（２１）の２つの領域をドライエッチングにより形成する。この際、イオン注入部（２１）の開口された底部に、マスク部（２２）より膜厚が薄い残存部（２１ａ）を形成する。そして、イオン注入用マスク（２０）を介してイオンを注入し、炭化珪素基板（１０）に所定の半導体領域を形成する。これにより、炭化珪素基板（１０）表面の粗さが大きくなることを防止し、絶縁耐圧を向上できる。 |
