| 摘要 |
【課題】信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置は、酸化物半導体層と、酸化物半導体層に対向して配置されたゲート電極と、酸化物半導体層とゲート電極との間に配置されたゲート絶縁層と、酸化物半導体層の下層に配置された第１バリア層と、酸化物半導体層の上層に配置され、酸化物半導体層の上方及び側方を囲み、酸化物半導体層の周囲において第１バリア層と接する第２バリア層と、酸化物半導体層と第１バリア層との間に配置された第１酸化層と、酸化物半導体層と第２バリア層との間に配置された第２酸化層と、を有する。【選択図】図２Ａ |
